Toshiba и SanDisk разработали сверхъемкую NAND-память

Компания Toshiba объявила о выпуске новых модулей флэш-памяти NAND-типа с самой высокой плотностью записи емкостью 16 Гбит (2 ГБ) и 8 Гбит (1 ГБ), изготовленных с применением 56-нм техпроцесса, технология которого была разработана в сотрудничестве с компанией SanDisk Corporation. На сегодняшний день данная емкость является рекордной для флэш-памяти данного типа.

При производстве чипов используется технология многоуровневого расположения запоминающих ячеек MLC (multi-level cell), которая позволяет существенно увеличить емкость чипа при сохранении его размеров. Начало поставок 16-гигабитных чипов ожидается к концу первого квартала этого года.

Увеличение плотности записи также стало возможным благодаря увеличению скорости записи до 80 Мбит/с, что вдвое больше, чем скорость записи предыдущих продуктов корпорации Toshiba, использующих многоуровневое расположение запоминающих ячеек.