На смену флэш-памяти и DRAM

Специалисты Intel и ST Microelectronics собираются представить доклад, посвященный их совместным исследованиям в области создания памяти, принцип действия которой основан на явлении фазового перехода (phase-change memory, PCM). по мнению экспертов, PCM-память, будучи энергонезависимой, способна со временем заменить как флэш-, так и динамическую оперативную память. Исследователи из Intel и ST Micro добились возможности изготовления микросхем памяти с топологическим размером элемента 90 нм, в которых материалом элемента хранения служит халькогенидное стекло, устройством выборки - вертикальный биполярный плоскостной pnp-транзистор. Экспериментаторами обеспечен компактный размер ячейки, хорошие электрические качества и высокая надежность. Фазовое состояние халькогенидного стекла можно изменять между кристаллическим и аморфным при контролируемом пропускании электрического тока, заставляющем вещество нагреваться. Кристаллическое состояние, характеризующееся более высоким сопротивлением, представляет собой двоичную 1, аморфное - 0. Создан прототип микросхемы памяти PCM емкостью 128 Мбит, ведется изучение возможности выпуска многогигабитных чипов по технологиям 45 и 32 нм.