Toshiba готовит революционную память

Японская корпорация Toshiba сообщила о разработке новой технологии, которая в будущем позволит создавать чипы памяти намного большей емкости на базе нового 10-нм техпроцесса. Помимо уменьшения базовых элементов памяти, инженеры также потрудились над их материалом. Новая память может работать без сбоев на протяжении более 10 лет.

Корпорация Toshiba объявила об успешной разработке новой туннельной технологии, которая в будущем позволит создавать флэш-память намного большей емкости, на базе нового, 10-нанометрового технологического процесса. Технология была анонсирована вчера, 12 декабря, на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) в Вашингтоне, США. Разработка Toshiba представляет собой туннельный слой, контролирующий перемещение электронов в SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor), структуре памяти, где электроны удерживаются в нитридном слое изолирующего затвора. Новая структура представляет собой кремниевый кристалл толщиной 1,2 нм, расположенный между 1-нанометровыми оксидными пленками. Функционирование осуществляется посредством изменения величины напряжения на затворе. Такой тип памяти способен хранить информацию очень долгое время и обеспечивает высокую скорость записи и одновременного удаления битов.

Новая технология позволит хранить в одном слое до 100 Гбит (12,5 ГБ) данных. Для сравнения, современная одноуровневая NAND-память, используемая в плеерах iPod, флэш-накопителях и т.д., способна хранить лишь 16 Гбит. Обычно для увеличения емкости производители используют дополнительные уровни (слои). Иными словами, разработка Toshiba позволит изготавливать более маленькие чипы памяти, либо чипы, которые будут вмещать в 6,25 раз больше информации.

Помимо уменьшения размеров, японские инженеры заменили материал нитридного слоя с Si3N4 на Si9N10, что позволило существенно увеличить концентрацию электронов и улучшить работоспособность памяти. Как утверждается, чипы с использованием нового материала могут работать без сбоев более 10 лет.

Напоследок стоит отметить другой важный прорыв, совершенный недавно корейской Samsung. В октябре компания заявила о четырехкратном увеличении емкости современных NAND-чипов. Представленная Samsung технология хранит биты данных в многоуровневых ячейках и задействует 30-нм техпроцесс. Таким образом, прорыв Toshiba — использующий техпроцесс втрое меньше — открывает более интересные перспективы.