Переход к более совершенным технологиям изготовления микросхем памяти.

Сразу три тайваньских DRAM-производителя, как сообщают независимые источники, раньше намеченных сроков осуществляют переход к более совершенным технологиям изготовления микросхем памяти. Компании Nanya Technology и Winbond Electronics запускают производства на основе 0,11-микронной технологии с использованием 200-миллиметровых пластин. В Nanya рассчитывают, что уже к концу нынешнего года доля микросхем, выпускаемых по 0,11-мкм техпроцессу составит одну десятую от общего объема производства чипов DRAM. Представители Winbond, в которой только начат пилотный проект по внедрению новой технологии, заявили, что в первом квартале 2004 года производственные мощности позволят обрабатывать до 5 тыс. пластин в месяц. В компании Powerchip Semiconductor Corporation (PSC) тем временем переходит на массовый выпуск микросхем DRAM по 0,13-мкм техпроцессу. К началу 2004 года в PSC планируют достичь объема производства в 22 тыс. 300-миллиметровых пластин в месяц. Ранее на этот уровень в компании рассчитывали выйти к сентябрю следующего года.