Samsung создал новый тип памяти

Компания Samsung Electronics объявила о завершении работ по созданию первого рабочего прототипа модуля памяти Phase-change Random Access Memory (PRAM), который, как ожидается, в ближайшие десять лет заменит флэш-память NOR. Компания представила устройство емкостью 512 Мбит на ежегодной пресс-конференции в Сеуле.

Технологии PRAM характеризуется значительно большей скоростью обработки информации при выполнении операционных задач, а также устойчивыми характеристиками памяти при хранении информации. Главным преимуществом PRAM является очень высокая производительность. Она в 30 раз быстрее обычных флэш-накопителей, поскольку PRAM перезаписывает данные без предварительного удаления ранее содержащейся информации. По долговечности PRAM по крайней мере в 10 раз превосходит флэш-память.

Спрос на PRAM значительно превзойдет спрос на флэш-память NOR, прогнозируют в Samsung. Память поступит в продажу в 2008 году. Размер ячейки PRAM в два раза меньше размера ячейки памяти NOR. Более того, на ее производство затрачивается на 20% меньше технологических шагов, чем при производстве памяти NOR. При производстве PRAM были использованы вертикальные диоды с трехмерной структурой транзисторов, применяемой при производстве модулей DRAM.

Новая память найдет широкое применение в будущих моделях многофункциональных портативных устройств и других мобильных приложениях, где большая скорость влечет значительное увеличение производительности, говорится в пресс-релизе компании. Минимальная емкость модулей составит 512 Мбит.