Samsung перешел на 40-нм технологию в производстве памяти

Компания Samsung Electronics разработала первое в мире устройство памяти по 40-нанометровой технологии. Новая флэш-память NAND емкостью 32 Гбит является первым в данном сегменте устройством на базе архитектуры Charge Trap Flash (CTF) и выполнена с использованием high-k материалов (с высокой диэлектрической проницаемостью).

За счет резкого снижения уровня внутреннего шума удалось увеличить надежность устройства памяти. Простая структура также обеспечивает значительную масштабируемость, что в будущем позволит перейти с 40-нанометровой технологии на 30- и даже 20-нанометоровую.

Затвор в архитектуре CFT в пять раз меньше плавающего затвора в традиционной структуре. Вместо плавающего затвора данные временно помещаются в "удерживающую камеру" непроводящего слоя флэш-памяти, состоящего из нитрида кремния. В итоге достигается более высокая степень надежности и лучшая управляемость процессом хранения.

Структура CFT основана на базе структуры TANOS, состоящей из соединения тантала, алюминия и кремния. Флэш-память на архитектуре TANOS-CTF была разработана в результате экстенсивных исследований научно-технического подразделения Samsung Semiconductor. Впервые Samsung представила структуру TANOS в 2003 году.