VIA C3 Ezra-T

• Ядро Ezra-Tualatin (C5M — алюминиевые соединения, C5N — медные соединения)
• Год выпуска 2002
• Технология производства 0,15 и 0,13 мкм
• Количество транзисторов 15,5 млн.
• Разрядность 32 бит
• Адресуемая память 4 Гбайт
• Набор команд x86, MMX, 3DNow!
• Кэш-память первого уровня 128 Кбайт
• Кэш-память второго уровня 64 Кбайт
• Тактовая частота 800–1200 МГц
  • C5M — 800–1000 МГц
  • C5N — 900–1200 МГц
• Частота шины 100–133 МГц
• Разъём Socket 370
• Напряжение 1,35 В
• Выделяемая мощность 7–12 Вт
• Предельная температура 70 °C