Сверхбыстрый транзистор от Intel

Intel объявила о создании прототипа нового сверхбыстрого и очень экономичного транзистора. Инженеры Intel и QinetiQ продемонстрировали работающий в режиме обогащения транзистор, в котором в качестве токопроводящего материала используется антимонид индия (InSb). Как ожидается, новый материал продлит срок действия закона Мура. Значительное снижение энергопотребления на уровне транзисторов в сочетании с существенным повышением производительности имеет большое значение для дальнейшего развития вычислительных платформ, позволяя реализовать в них дополнительные функции. Обеспечивая увеличение производительности в полтора раза и потребляя примерно в 10 раз меньше энергии, транзисторы на базе InSb предоставят новые возможности для создания перспективных платформ.