Вена: кремниевым чипам пришёл конец

В результате компьютерного моделирования ученые из технических университетов в Клаустхоле и Вене исследуют возможности создания новых материалов для все меньших и более эффективных новых транзисторов.

Чем меньше транзистор, тем быстрее он может работать, и соответственно, тем меньшие на его основе можно построить процессоры. Работа транзистора требует наличия тонкого изолирующего слоя. Всего за несколько лет толщина этого слоя снизилась до одной пятидесятитысячной толщины человеческого волоса. Однако при продолжении использования диоксида кремния дальнейшая миниатюризация транзисторов в ближайшие годы невозможна. Ученые по всему миру ломают головы над тем, как сделать еще меньшие – и, соответственно, более быстрые транзисторы. И хотя решение напрашивается само, для его реализации есть одно препятствие – нужно найти новый материал.

Если толщина слоя диоксида кремния не превышает нескольких атомов, он теряет свои изолирующие свойства. Поэтому искомый материал должен допускать нанесение более толстого слоя, но вести себя так, как будто на нем находится сверхтонкий слой диоксида кремния. Наиболее перспективным кандидатом представляется титанат стронция. Группе исследователей из Австрии впервые удалось точно определить взаимодействие компонентов при производстве такого чипа. С помощью компьютерной модели они объяснили процесс образования слоя оксида и то, каким именно образом могут контролироваться его электрические свойства. С помощью компьютерной симуляции группа исследователей успешно объяснила на атомном уровне, как новый изолирующий оксид – в данном случае титанат стронция – может накладываться на силиконовую "вафлю".